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- 发布日期：2024-01-10 16:39 点击次数：54
MRFE6VP61K25HR5
图像仅供参考
请参阅产品规格
编号：
841-MRFE6VP61K25HR5
制造商编号：
MRFE6VP61K25HR5
制造商：
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
客户编号:
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
数据表:
MRFE6VP61K25HR5 数据表 (PDF)
ECAD模型:
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生产周期：
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1 倍数： 1
输入数量：
购买
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
封装:
整卷卷轴（请按50的倍数订购）
剪切带
eel™ (+¥15.00)
定价 (含13% 增值税)数量 单价
总价
剪切带/eel™ † 1 ¥1,755.6697 ¥1,755.67 10 ¥1,669.5072 ¥16,695.07 25 ¥1,645.0992 ¥41,127.48 整卷卷轴（请按50的倍数订购） 50 ¥1,645.0201 ¥82,251.01 100 报价
† ¥15.00 eel™费将被加上并在购物车计算。所有eel™订单均不可撤消和退回。 ↩
× 包装选择
取决于您的订购数量，有些选项可能不可用。
剪切带
产品从完整卷轴带切割成定制数量。
eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。
完整卷轴
订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴，请按50的倍数订购。
卷轴和剪切带
以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。
卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。
备用包装
制造商零件编号:
MRFE6VP61K25HR6
包装:
Reel, Cut Tape, eel
供货情况:
库存量
单价:
¥1,756.3138
最小:
1
特色产品
NXP
Sunlord(顺络)电感/磁珠/片式压敏电阻/NTC热敏电阻 优化用于5G大规模MIMO有源天线系统。
了解更多
">
规格
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: NXP 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管极性: N-Channel 技术: Si Id-连续漏极电流: 30 A Vds-漏源极击穿电压: 133 V 工作频率: 1.8 MHz to 600 MHz 增益: 24 dB 输出功率: 1.25 kW 最大工作温度: + 150 C 安装风格: Flange Mount 封装 / 箱体: NI-1230H-4 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: eel 商标: NXP Semiconductors 配置: Single 正向跨导 - 最小值: 28 S 通道数量: 2 Channel Pd-功率耗散: 1.333 kW 产品类型: RF MOSFET Transistors 系列: MRFE6VP61K25H 工厂包装数量: 工厂包装数量: 50 子类别: MOSFETs 晶体管类型: LDMOS FET 类型: RF Power MOSFET Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V 零件号别名: 935314411178 单位重量: 13.155 g
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产品合规性
CNHTS: 8541290000 CAHTS: 8541290000 USHTS: 8541290075 JPHTS: 8541290100 KRHTS: 8541299000 TARIC: 8541290000 MXHTS: 85412999 ECCN: EAR99
更多信息
MRFE6VP61K25H RF Power LDMOS Transistor
NXP's MRFE6VP61K25H Wideband RF Power LDMOS Transistor is a high ruggedness device that is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land mobile applications. The MRFE6VP61K25H features an unmatched input and output design allowing wide frequency range utilization, between 1.8MHz and 600MHz. This device can be used in either a single-ended or in a push-pull configuration, is suitable for linear application with appropriate biasing, and has integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation.
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